[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

摘要

本发明公开了一种离子注入装置和离子注入方法。在向晶片中注入离子的过程中，测量离子束电流，获得根据在真空束线室或真空处理室内操作的结构的位置变化而发生变化的真空流导的变化，另外，利用安装在所述真空束线室或所述真空处理室内的真空计检测一个或多个位置处的真空度的变化。利用所获得真空流导和所检测的一个或多个位置处的真空度来校正离子束电流的量，并控制注入至所述晶片中的剂量。

主权项

一种用于离子注入装置的离子注入方法，所述离子注入装置配置为将从离子源提取的离子束经由真空束线室传送至与真空束线的末端开口连通的真空处理室、并且将所述离子束注入至所述真空处理室内的晶片中，其中，在向所述晶片中注入离子的过程中，测量离子束电流，并且获得根据在所述真空束线室或所述真空处理室内操作的结构的位置变化而发生变化的真空流导的变化，另外，利用安装在所述真空束线室或所述真空处理室内的真空计检测一个或多个地点处的真空度的变化，并且利用所获得的注入离子的过程中的所述真空流导的变化和所检测的一个或多个地点处的真空度来校正离子束电流的量，并根据校正的离子束电流的量控制注入至所述晶片中的剂量，所述结构包括晶片和为了机械地移动所述晶片而安装在所述真空处理室内的晶片扫描体，预先获得作为晶片扫描方向上所述晶片扫描体的位置的函数的所述真空流导的变化，并且根据在离子注入过程中出现的所述晶片扫描体的所述位置的变化来获得注入离子的过程中的所述真空流导的变化。