[发明专利]具有微探针的半导体装置及其制法有效

专利信息
申请号: 201210394101.2 申请日: 2012-10-16
公开(公告)号: CN103675376B 公开(公告)日: 2016-12-21
发明(设计)人: 程吕义;邱启新;邱世冠 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: G01R3/00 分类号: G01R3/00;G01R1/067;G01R1/073
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司11314 代理人: 程伟,王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种具有微探针的半导体装置及其制法,该半导体装置包括基板,其具有相对的第一表面与第二表面;第一线路层,其形成于该基板的第一表面上;第一介电层,其形成于该基板的第一表面与该第一线路层上,并具有外露该第一线路层的第一开孔;第二线路层,其形成于该第一介电层上与该第一开孔中;绝缘缓冲层,其形成于该第一介电层与该第二线路层上,且具有至少一外露该第二线路层的绝缘缓冲层开孔;第三线路层,其形成于该绝缘缓冲层上与该绝缘缓冲层开孔中;第二介电层,其形成于该绝缘缓冲层与该第三线路层上,且具有至少一外露该第三线路层的第二开孔;以及微探针,设于该第二介电层的第二开孔中。本发明可有效缓冲微探针所受外力并避免弹性疲劳。
搜索关键词: 具有 探针 半导体 装置 及其 制法
【主权项】:
一种具有微探针的半导体装置的制法,包括:于一具有相对的第一表面和第二表面的基板的第一表面上形成第一线路层;于该基板的第一表面与该第一线路层上形成第一介电层,该第一介电层并具有外露该第一线路层的第一开孔;形成第二线路层于该第一介电层上与该第一开孔中;于该第一介电层与该第二线路层上形成一绝缘缓冲层,该绝缘缓冲层并具有至少一外露该第二线路层的绝缘缓冲层开孔;形成第三线路层于该绝缘缓冲层上与该绝缘缓冲层开孔中;于该绝缘缓冲层与该第三线路层上形成第二介电层,该第二介电层并具有外露该第三线路层的至少一第二开孔;以及于该第二介电层的第二开孔中形成微探针,且该微探针突出于该第二介电层。
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