[发明专利]降低线条粗糙度的光刻方法在审
| 申请号： | 201210395430.9 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103777466A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 孟令款;贺晓彬;李春龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/80;H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低线条粗糙度的光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束光刻胶，执行电子束过曝光形成电子束光刻胶图形，其中增大曝光剂量以改善粗糙度；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀形成硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的精细线条。依照本发明的方法，采用材质不同的多层硬掩模层并且合理调整光刻条件，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 线条 粗糙 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种降低线条粗糙度的光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束光刻胶，执行电子束过曝光形成电子束光刻胶图形，其中增大曝光剂量以改善粗糙度；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀形成硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的精细线条。
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