[发明专利]一种全固态电储能器件的制备方法无效
申请号: | 201210395583.3 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN102930980A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 胡潇文;吴杰;何敏;杨海军;刘必前 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所;刘必前 |
主分类号: | H01G4/00 | 分类号: | H01G4/00;H01G4/002 |
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地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种全固态电储能器件的制备方法,所述的方法是采用真空蒸镀技术在金属电极上制备一层电子存储材料,然后依次涂上绝缘材料和正电荷存储材料,干燥固化后,最后在正电荷存储材料表面蒸镀一层金属电极。本发明利用掺杂的方法对传统正电荷存储材料进行改性,提高了电荷在其中的迁移速率,从而有效的提高器件的充放电效率,改善器件的工作性能。此外由于迁移速率的提高,正电荷存储材料层厚度范围可以适度变宽,因此能降低成膜制备工艺难度。 | ||
搜索关键词: | 一种 固态 电储能 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种全固态电储能器件的制备方法,其特征是,该制备方法包括以下步骤:(1)制备负极。电极为金属铝或其合金;或采用真空蒸镀技术在酚醛树脂片或玻璃片表面蒸镀厚度为100nm的金属铜;(2)制备电子存储材料。在步骤(1)制得的电极表面,采用真空蒸镀技术制备一层厚度为50nm~5μm的联苯醌、噻咯中的一种或几种的混合物;(3)制备绝缘材料。在步骤(2)制得的电子存储材料层表面旋涂一层厚度100nm~5μm的二氧化硅和聚酰亚胺中的一种或两种的混合物;(4)制备正电荷存储材料。在步骤(3)制得的绝缘材料层表面旋涂一层复合物,旋涂所用复合物溶液为二胺联苯(NPB)及其衍生物、三芳胺(TPD)及其衍生物、分子量为300~100000聚酚噻嗪类、聚对苯撑乙烯类、聚乙烯咔唑类聚合物中的一种或几种的混合物与掺杂剂一定配比组成的溶液;(5)制备正极。在步骤(4)制得的器件经干燥固化后,在正电荷存储材料层表面真空蒸镀一层100nm厚的金属铝或金属铜,即得到本发明所述的全固态电储能器件。
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