[发明专利]FinFET鳍状结构的制造方法无效
| 申请号： | 201210395585.2 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779210A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;蒋葳;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种FinFET鳍状结构的制造方法，包括：提供衬底(200)；形成第一介质层(210)；形成第二介质层(220)，所述第二介质层(220)与第一介质层相邻部分的材料与第一介质层(210)不同；形成贯穿所述第二介质层(220)和第一介质层(210)的开口(230)，所述开口(230)部分暴露所述衬底；在所述开口(230)中填充半导体材料；去除第二介质层(220)，形成鳍状结构(240)。本发明通过介质层的厚度来控制FinFET中鳍状结构的高度。利用不同材料之间的刻蚀选择性，可以很好的控制刻蚀停止，相比于时间控制可以更好的实现刻蚀均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET鳍状结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供衬底(200)；b)形成第一介质层(210)；c)形成第二介质层(220)，所述第二介质层(220)与第一介质层相邻部分的材料与第一介质层(210)不同；d)形成贯穿所述第二介质层(220)和第一介质层(210)的开口(230)，所述开口(230)部分暴露所述衬底；e)在所述开口(230)中填充半导体材料；f)去除第二介质层(220)，形成鳍状结构(240)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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