[发明专利]增大LED发光功率的集成方法在审
| 申请号： | 201210396163.7 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103779450A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 甘志银;严晗 | 申请（专利权）人： | 甘志银 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李平 |
| 地址： | 528251 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 增大LED发光功率的集成方法，在衬底上由下至上依次外延缓冲层薄膜系、n型薄膜系、多量子阱系、p型薄膜系组成传统的LED外延结构，在此之上继续外延另外的n型薄膜系、多量子阱系、p型薄膜系组成半导体光放大器。本发明还提供了在传统的LED芯片结构中沿着外延生长方向增加多节LED结构。本发明的优点是在传统的LED芯片结构生长方向上增加具有光放大增益的结构大幅增大出光效率，同时不扩大芯片的发光面积，有效提高了单个圆片的器件实际产能。在传统的LED芯片结构中沿着外延生长方向增加多节LED结构，使得LED芯片具有多级串联的效果，大幅提高了发光功率，实现了大功率的光输出，同时降低了芯片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 增大 led 发光 功率 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种增大LED发光功率的集成方法，其特征在于在金属有机物化学气相沉积、分子束外延和氢化物气相外延设备上生长LED外延薄膜，集成方法为：在衬底上由下至上依次外延缓冲层薄膜系、n型薄膜系、多量子阱系、p型薄膜系组成基本的LED外延结构，在基本的LED外延结构之上继续外延n型薄膜系、多量子阱系、p型薄膜系组成半导体光放大器。
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