[发明专利]阻变存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210397268.4 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103296203B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 李民镛;李泳昊;白承范;李锺哲 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 石卓琼,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可变存储器件及其制造方法。所述可变存储器件包括可变电阻层，所述可变电阻层形成在形成有下结构的半导体衬底上；下电极，所述下电极形成在可变电阻层上；开关单元，所述开关单元形成在下电极上；以及上电极，所述上电极形成在开关单元上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阻 变存储器件，包括：第一互连线；第一阻变存储器单元，所述第一阻变存储器单元形成在所述第一互连线上，并包括顺序层叠的第一开关单元、第一加热器以及可变电阻层；第二阻变存储器单元，所述第二阻变存储器单元形成在所述第一阻变存储器单元上，并包括顺序层叠的所述可变电阻层、第二加热器以及第二开关单元；以及第二互连线，所述第二互连线形成在所述第二阻变存储器单元上，其中，第一阻变存储器单元和第二阻变存储器单元共享所述可变电阻层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210397268.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种风冷水冷双冷结构的高效换热器
- 下一篇：具有富水表面的硅水凝胶透镜
