[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210397928.9 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779213A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊;焦明洁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明实施例提供的半导体器件的制造方法，将锗硅层的形成工艺分成两次来实现，即先形成第一锗硅层，然后在第一锗硅层中形成第二锗硅层，克服了通过一次沉积工艺形成锗硅层造成的锗硅堆叠不理想问题，使锗硅层更接近PMOS的沟道区域，保证了锗硅层的压应力增强效果，提高了PMOS的性能，进而提高了整个半导体器件的性能。本发明实施例提供的半导体器件，锗硅层包括位于外侧的第一锗硅层和位于第一锗硅层内部的第二锗硅层两部分，克服了现有技术中锗硅堆叠不理想的问题，使锗硅层更接近PMOS的沟道区域，保证了锗硅层的压应力增强效果，提高了PMOS的性能，进而提高了整个半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供形成有PMOS的栅极结构的半导体衬底；步骤S102：在所述PMOS的栅极结构的两侧形成栅极第一侧壁；步骤S103：以所述栅极第一侧壁为掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀，在所述PMOS的栅极结构的两侧形成第一凹槽；步骤S104：在所述第一凹槽内形成第一锗硅层；步骤S105：在所述栅极第一侧壁的两侧形成栅极第二侧壁；步骤S106：以所述栅极第二侧壁为掩膜对所述第一锗硅层进行刻蚀，在所述第一锗硅层内形成第二凹槽；步骤S107：在所述第二凹槽内形成第二锗硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
