[发明专利]GOI测试电路结构

摘要

本发明公开了一种GOI测试电路结构，该GOI测试电路结构在传统的区域棱式GOI测试电路结构基础上，将栅氧层部分覆盖于第一aa区上，使得呈条状的第一aa区中靠近两端的区域未被所述栅氧层覆盖，进而形成源/漏区，并利用第三接触孔和源漏金属层分别引出源极端子和漏极端子。本发明的GOI测试电路结构共引出4端子，分别为栅极端子Gate、衬底端子Substrate、源极端子和漏极端子，比传统区域棱式GOI测试电路结构多出2个端子。本发明的GOI测试电路结构在第一aa区中引入源/漏区，这样便将源/漏区包括在了GOI测试电路结构中，进而当CD在90nm以下时，可以避免GOI测试电路结构中的寄生节点以获得准确的击穿电压。

主权项

一种GOI测试电路结构，其特征在于，所述GOI测试电路结构包括：形成于衬底上的多个呈条状且相互平行的第一aa区，且相邻的第一aa区之间由STI相互隔离；多个呈条状且一对一覆盖于每个第一aa区上的栅氧层，所述栅氧层部分覆盖于所述第一aa区使得所述条状的第一aa区中靠近两端的区域未被所述栅氧层覆盖；覆盖于所述栅氧层和第一aa区之间的STI上的多晶硅层；与所述多晶硅层电连接的多个第一接触孔；与所述多个第一接触孔电连接的第一金属层；由所述第一金属层引出的栅极端子；分别与多个第一aa区中靠近其两端的未被所述栅氧层覆盖的区域电连接的多个第三接触孔；分别与位于第一aa区每侧的第三接触孔电连接的2个源漏金属层；由所述2个源漏金属层分别引出的源极端子和漏极端子；形成于衬底上且位于所有第一aa区外侧的第二aa区，且所述第二aa区和第一aa区之间由STI相互隔离；与所述第二aa区电连接的多个第二接触孔；与所述多个第二接触孔电连接的第二金属层；由所述第二金属层引出的衬底端子。