[发明专利]一种新型的锥状阵列结构制备方法无效
| 申请号： | 201210398587.7 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103772721A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张文妍;陆春华;许仲梓;倪亚茹;金俊阳;陈乐 | 申请（专利权）人： | 金陵科技学院 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L33/12;C08L83/04;C08L23/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211169 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种新型的锥状阵列结构制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)一次复型：取低熔点合金，加热熔融，向熔融合金熔体中插入模板，待合金凝固后拔出模板，在凝固的低熔点合金表面制备出孔洞阵列，形成一次复型结构；(2)二次复型：在一次复型所得孔洞阵列表面均匀涂覆预聚合的有机物单体，待有机物聚合固化后，将有机物膜与一次复型结构表面分离，即在有机物膜表面制备出锥状阵列结构。本发明可通过调整模板的粗细调整锥状阵列结构的尺寸，制备过程简单，成本低，复制出的锥状阵列结构在紫外-可见-近红外宽频率范围内均具有抗反射效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 阵列 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型的锥状阵列结构制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)一次复型：取低熔点合金，加热熔融，向熔融合金熔体中插入模板，待合金凝固后拔出模板，在凝固的低熔点合金表面制备出孔洞阵列，形成一次复型结构；(2)二次复型：在一次复型所得孔洞阵列表面均匀涂覆预聚合的有机物单体，待有机物聚合固化后，将有机物膜与一次复型结构表面分离，即在有机物膜表面制备出锥状阵列结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金陵科技学院，未经金陵科技学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210398587.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数字广播移动信号鲁棒传输方法
- 下一篇：酸性功能化离子液体在酯化反应中的应用
