[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201210400793.7 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103779428A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林靖璋 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体装置及其制造方法。其中该半导体装置被一层状结构所定义，该层状结构包含：一第一介电层；一数据储存层,设置于该第一介电层之上；以及一第二介电层，设置于该数据储存层之上，该层状结构实质上形成该半导体装置的一外层，举例来说，该半导体装置可为一SONOS结构，该SONOS结构实质上由一氧化物-氮化物-氧化物（ONO）薄膜所围绕。本发明同时还提供了制造该半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于其包括：一基材；一介电层，设置于该基材之上，该介电层具有一内缩区；一导电层，设置于该介电层上，该导电层具有一侧壁；以及一电荷捕捉薄膜，围绕该介电层及该导电层的该侧壁。
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