[发明专利]氮化物半导体发光装置无效
| 申请号： | 201210400802.2 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103066176A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 金范埈;金晟泰;金荣善;尹皙胡;金起成;李浩喆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括n型氮化物半导体层、设置在n型氮化物半导体层上的活性层和设置在活性层上的p型氮化物半导体层。一个或多个电流扩散层设置在n型氮化物半导体层的表面上。电流扩散层包括带隙能比形成n型氮化物半导体层的材料的带隙能大的材料，以在与形成n型氮化物半导体层的材料的界面处形成二维电子气层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括：n型氮化物半导体层；活性层，设置在n型氮化物半导体层上；p型氮化物半导体层，设置在活性层上；以及多个电流扩散层，设置在n型氮化物半导体层的内部和表面中的至少一处，并且包含带隙能比形成n型氮化物半导体层的材料的带隙能大的材料，以在与形成n型氮化物半导体层的材料的界面处形成二维电子气层。
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