[发明专利]扁平碳基纳米结构材料的制备方法无效
| 申请号： | 201210401368.X | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103058175A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | M·F·阿卡特维奇;L·E·伊万诺维奇;篠崎研二 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及扁平碳基纳米结构材料的制备方法。本发明涉及扁平碳基纳米结构材料，即具有低厚度和高纵横比的成片状石墨细颗粒的低温制备方法。根据本发明的方法包括以下步骤：在碱性反应剂或包括碱性反应剂的混合物的存在下使粒状石墨进行机械研磨处理；将石墨颗粒暴露于插层溶剂中以使所述溶剂渗入石墨的碳层之间；和将超声波能量供给至石墨颗粒的分散体足以形成纳米结构材料的时间。通过该方法获得的碳基纳米结构(CBNS)具有4至20nm范围内的厚度和500至7000的纵横比以及各种表面化学，并可作为高功能性石墨材料用于广泛的应用中，特别是用于在电池和燃料电池中的电化学应用。 | ||
| 搜索关键词： | 扁平 纳米 结构 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种扁平碳基纳米结构材料的制备方法，其包括：(a)在碱性反应剂或包括所述碱性反应剂的混合物的存在下使粒状石墨进行机械研磨处理，(b)将石墨颗粒暴露于插层溶剂中以使所述溶剂渗入石墨的碳层之间，(c)将超声波能量供给至所述石墨颗粒的分散体足以形成所述纳米结构材料的时间。
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