[发明专利]一种六方片状结构Sm2O3 半导体纳米晶的制备方法无效
| 申请号： | 201210401417.X | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102897818A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 殷立雄;黄剑锋;郝巍;李嘉胤;吴建鹏;曹丽云;费杰 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C01F17/00 | 分类号： | C01F17/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种六方片状结构Sm2O3半导体纳米晶的制备方法，将分析纯的SmCl3·6H2O加入异丙醇中制得溶液A；用NaOH溶液调节溶液A的pH值为7～12形成前驱溶液，向前驱溶液中加入CTAB；将前驱溶液倒入水热釜中，密封水热釜，控制水热温度为120～200℃，压力为2～20MPa，反应6～60小时，反应结束后自然冷却到室温；取出产物用无水乙醇洗涤并离心分离重复多次后干燥得到六方片状结构Sm2O3半导体纳米晶。由于本发明制备六方片状结构Sm2O3纳米晶反应在液相中一次完成，不需要后期的晶化热处理，从而避免了Sm2O3纳米晶在热处理过程中可能导致的团聚、晶粒粗化以及气氛反应引入杂质等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 片状 结构 sm sub 半导体 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种六方片状结构Sm2O3半导体纳米晶的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将分析纯的SmCl3·6H2O加入异丙醇中搅拌制得Sm3+浓度为0.2~1.5mol/L的溶液A；2）将溶液A在45~55℃加热搅拌采用NaOH溶液调节溶液A的pH值为7~12，继续搅拌形成前驱溶液，随后向前驱溶液中加入CTAB，其加入量与产物理论产量的物质的量之比为n=0.5~2.5；再次确定前驱溶液的pH值为7~12；3）将前驱溶液倒入水热釜中，填充度控制在50～60％，然后密封水热釜，将其放入电热鼓风干燥箱中，控制水热温度为120～200℃，压力为2～20MPa，反应6～60小时，反应结束后自然冷却到室温；4）打开水热釜，取出产物用无水乙醇洗涤并离心分离，重复无水乙醇洗涤并离心分离4～6次后置于45～65℃的电热真空干燥箱内干燥得到六方片状结构Sm2O3半导体纳米晶。
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