[发明专利]一种基底上ITO薄膜图案化方法无效
| 申请号： | 201210401751.5 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102969393A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 苏仕健;江志雄;周军红;彭俊彪;曹镛 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L51/56;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基底上ITO薄膜图案化方法，包括以下步骤：（1）在基底上沉积好一层ITO薄膜；（2）将贴膜紧密地贴合于步骤（1）的ITO薄膜之上，并且去除贴膜与ITO薄膜之间的气泡，其中贴膜为被图案化的；（3）通过湿法刻蚀去除步骤（2）中没有被贴膜保护到ITO薄膜部分；（4）撕去贴膜，得到图案化ITO薄膜。本发明ITO薄膜图案化方法具有步骤简单、成本低等优点，并且适合在柔性基底上使用，能够有效的防止由于柔性基底卷曲而导致ITO薄膜被刻花以及出现断路和短路的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基底 ito 薄膜 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种基底上ITO薄膜图案化方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在基底上沉积好一层ITO薄膜；（2）将贴膜紧密地贴合于步骤（1）的ITO薄膜之上，并且去除贴膜与ITO薄膜之间的气泡，其中贴膜为被图案化的；（3）通过刻蚀方法去除步骤（2）中露出的ITO薄膜部分；（4）撕去贴膜，得到图案化ITO薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
