[发明专利]发光二极管光电特性量测装置在审
| 申请号： | 201210402060.7 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103777127A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 黄明宏;曾培翔;施佩秀;尤家鸿;黄泯舜 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01M11/02 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露一发光二极管光电特性的量测装置，包括：一容器，具有一光输入口及一光输出口；一量测模块，与容器的光输出口连接；一试片承载台，位于容器下方且可承载待测的发光二极管；及一光聚集单元，位于容器与试片承载台之间。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 光电 特性 装置 | ||
【主权项】：
一发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于，该发光二极管光电特性的量测装置包括：一容器，该容器具有一光输入口及一光输出口；一量测模块，该量测模块与该容器的光输出口连接；一试片承载台，位于该容器下方且可承载待测的发光二极管，其中该试片承载台表面具有相对于待测发光二极管产生的光通量大于50%的反射率；及一光聚集单元，位于该容器与该试片承载台之间，其中该光聚集单元内壁具有相对于待测发光二极管产生的光通量大于50%的反射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司，未经晶元光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210402060.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于OFDM信号的光源调光方法
- 下一篇：方便型日光灯灯架及日光灯
