[发明专利]LED的量子阱结构及其生长方法无效
| 申请号： | 201210403280.1 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102881790A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 于斌;王耀国;郭丽彬 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光二极管量子阱结构，包括：浅垒层，其材料为氮化镓；浅阱层，其材料为氮化铟稼合金；量子垒层，其材料为氮化铟稼合金；和量子阱层，其材料为氮化铟稼合金。还提供一种半导体发光二极管量子阱结构的生长方法，包括：采用一个浅垒层+一个浅阱层+一个量子垒层+一个量子阱层的结构的交替生长。还提供一种GaN外延结构，包括：衬底，GaN缓冲层，N型GaN层，发光层多量子阱，P型GaN层，P型AlGaN层，P型GaN层和P型接触层；其中，发光层多量子阱为所述的半导体发光二极管量子阱结构。其优点在于新型量子阱结构可以有效地增加有源层中每个量子阱层的电子或空穴的俘获效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 量子 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光二极管量子阱结构，包括：浅垒层，其材料为氮化镓；浅阱层，其材料为氮化铟稼合金；量子垒层，其材料为氮化铟稼合金；和量子阱层，其材料为氮化铟稼合金。
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