[发明专利]一种双重图形化方法有效

专利信息
申请号: 201210404854.7 申请日: 2012-10-22
公开(公告)号: CN102881567B 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 易春艳 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L21/033 分类号: H01L21/033
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种双重图形化方法,包括在衬底上依次形成介质层、硬掩膜层;形成并图形化第一光刻胶层,以形成第一光刻胶图形结构;形成并图形化第二光刻胶层,以形成第二光刻胶图形结构;在第一光刻胶图形结构和第二光刻胶图形结构之间形成旋涂玻璃层,且第一光刻胶图形结构和第二光刻胶图形结构的顶部外露;去除第一光刻胶图形结构和第二光刻胶图形结构;以及以旋涂玻璃层为掩膜刻蚀硬掩膜层。本发明能够有效消除采用不同类型的光刻胶光刻对后续刻蚀工艺的影响,使得在后续刻蚀工艺能更好地控制刻蚀的形貌,获得更大的工艺窗口。
搜索关键词: 一种 双重 图形 方法
【主权项】:
一种双重图形化方法,其特征在于,包括以下步骤:在衬底上依次形成介质层、硬掩膜层;进行第一光刻胶层涂胶、曝光、显影,以及对显影后图形的烘烤固化,以形成第一光刻胶图形结构;进行第二光刻胶层涂胶、曝光、显影,以及对显影后图形的烘烤固化,以形成第二光刻胶图形结构,所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层的类型不同;在所述第一光刻胶图形结构和所述第二光刻胶图形结构之间形成旋涂玻璃层,且所述第一光刻胶图形结构和所述第二光刻胶图形结构的顶部外露;以去胶工艺去除所述第一光刻胶图形结构和所述第二光刻胶图形结构;以及以所述旋涂玻璃层为掩膜刻蚀所述硬掩膜层。
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