[发明专利]一种双重图形化方法有效
申请号: | 201210404854.7 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN102881567B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 易春艳 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种双重图形化方法,包括在衬底上依次形成介质层、硬掩膜层;形成并图形化第一光刻胶层,以形成第一光刻胶图形结构;形成并图形化第二光刻胶层,以形成第二光刻胶图形结构;在第一光刻胶图形结构和第二光刻胶图形结构之间形成旋涂玻璃层,且第一光刻胶图形结构和第二光刻胶图形结构的顶部外露;去除第一光刻胶图形结构和第二光刻胶图形结构;以及以旋涂玻璃层为掩膜刻蚀硬掩膜层。本发明能够有效消除采用不同类型的光刻胶光刻对后续刻蚀工艺的影响,使得在后续刻蚀工艺能更好地控制刻蚀的形貌,获得更大的工艺窗口。 | ||
搜索关键词: | 一种 双重 图形 方法 | ||
【主权项】:
一种双重图形化方法,其特征在于,包括以下步骤:在衬底上依次形成介质层、硬掩膜层;进行第一光刻胶层涂胶、曝光、显影,以及对显影后图形的烘烤固化,以形成第一光刻胶图形结构;进行第二光刻胶层涂胶、曝光、显影,以及对显影后图形的烘烤固化,以形成第二光刻胶图形结构,所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层的类型不同;在所述第一光刻胶图形结构和所述第二光刻胶图形结构之间形成旋涂玻璃层,且所述第一光刻胶图形结构和所述第二光刻胶图形结构的顶部外露;以去胶工艺去除所述第一光刻胶图形结构和所述第二光刻胶图形结构;以及以所述旋涂玻璃层为掩膜刻蚀所述硬掩膜层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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