[发明专利]一种高压器件的保护环结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210404971.3 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102881717B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 孙德明 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体高压器件的保护环结构及其制造方法，其保护环结构包括第一N型单晶硅衬底、第二N型单晶硅衬底、间断的氧化层、金属场板、器件区、多个P+型注入扩散环和等位环；其中，第二N型单晶硅衬底为从第一N型单晶硅衬底上外延一层的N型单晶层；且其掺杂浓度低于第一N型单晶硅衬底。并且，在P+型注入扩散环的内侧，还嵌有零偏压下完全耗尽的N型注入扩散环。因此，在相同的耐压值的情况下，本发明的场板加场限环结构，不仅优化每一个环间距缩，减少了环的数目，节省面积，同时也缩短保护环设计时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 器件 保护环 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体高压器件的保护环结构，其特征在于，包括：第一N型单晶硅衬底(3)；第二N型单晶硅衬底(8)，其为位于所述第一N型单晶硅衬底(3)上的一层N型单晶层；且其掺杂浓度低于所述第一N型单晶硅衬底(3)；间断的氧化层(2)，位于第二N型单晶硅衬底(8)的表面上；金属场板(1)，其部分覆盖在露出的第二N型单晶硅衬底(8)的表面和部分嵌于氧化层(2)中；器件区(9)，嵌于所述第二N型单晶硅衬底(8)中；多个P+型注入扩散环(5)，嵌于所述第二N型单晶硅衬底(8)中，其中，紧邻所述器件区(9)的P+型注入扩散环(5)为零环，且以所述器件区(9)为中间区域环绕分布，在所述器件区(9)工作时接零；其他P+型注入扩散环(5)，在所述器件区(9)工作时悬浮，且以零环为中间区域，一环环绕于另一个环的外圈；等位环(4)，嵌于所述第二N型单晶硅衬底(8)中，且环绕于所述多个P+型注入扩散环(5)的外围；零偏压下完全耗尽的N型注入扩散环(6)，嵌于所述P+型注入扩散环(5)的环内。
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