[发明专利]一种真空控制系统有效
申请号: | 201210405325.9 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN102903655B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 任大清 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种真空控制系统,应用于半导体器件制造。其中,储能腔室与第一隔离阀并联连接于工作腔室与真空泵之间;第二隔离阀连接于储能腔室与工作腔室之间;第三隔离阀连接于储能腔室与真空泵之间;控制单元与第一隔离阀,第二隔离阀以及第三隔离阀相连,控制第一隔离阀,第二隔离阀以及第三隔离阀的开闭状态。本发明通过储能腔室降低工作腔室抽真空时的初始压力,从而满足较小一级真空泵的抽速要求,解决了现有技术中采用较大真空泵占用空间大其能耗浪费的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 控制系统 | ||
【主权项】:
一种真空控制系统,应用于半导体器件制造,其包括工作腔室,真空泵以及第一隔离阀,所述第一隔离阀连接于所述工作腔室与所述真空泵之间,其特征在于,所述真空控制系统还包括:储能腔室,与所述第一隔离阀并联连接于所述工作腔室与所述真空泵之间;第二隔离阀,连接于所述储能腔室与所述工作腔室之间;第三隔离阀,连接于所述储能腔室与所述真空泵之间;以及控制单元,与所述第一隔离阀,第二隔离阀以及第三隔离阀相连,控制所述第一隔离阀,第二隔离阀以及第三隔离阀的开闭状态;其中,当进行硅片装卸动作时,所述控制单元关闭所述第一隔离阀和第二隔离阀、同时打开所述第三隔离阀,使得所述工作腔室与所述真空泵和储能腔室相隔离,所述真空泵对所述储能腔室抽真空使所述储能腔室内的压力小于大气压;当进行硅片加工动作时,所述控制单元打开所述第二隔离阀使得所述工作腔室与真空状态的所述储能腔室相连通而降低所述工作腔室内的压力;当所述工作腔室内的压力下降到预定程度时,所述控制单元关闭所述第二隔离阀及第三隔离阀,且同时打开所述第一隔离阀,所述真空泵对所述工作腔室抽真空。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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