[发明专利]一种真空控制系统有效

专利信息
申请号: 201210405325.9 申请日: 2012-10-22
公开(公告)号: CN102903655B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 任大清 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种真空控制系统,应用于半导体器件制造。其中,储能腔室与第一隔离阀并联连接于工作腔室与真空泵之间;第二隔离阀连接于储能腔室与工作腔室之间;第三隔离阀连接于储能腔室与真空泵之间;控制单元与第一隔离阀,第二隔离阀以及第三隔离阀相连,控制第一隔离阀,第二隔离阀以及第三隔离阀的开闭状态。本发明通过储能腔室降低工作腔室抽真空时的初始压力,从而满足较小一级真空泵的抽速要求,解决了现有技术中采用较大真空泵占用空间大其能耗浪费的问题。
搜索关键词: 一种 真空 控制系统
【主权项】:
一种真空控制系统,应用于半导体器件制造,其包括工作腔室,真空泵以及第一隔离阀,所述第一隔离阀连接于所述工作腔室与所述真空泵之间,其特征在于,所述真空控制系统还包括:储能腔室,与所述第一隔离阀并联连接于所述工作腔室与所述真空泵之间;第二隔离阀,连接于所述储能腔室与所述工作腔室之间;第三隔离阀,连接于所述储能腔室与所述真空泵之间;以及控制单元,与所述第一隔离阀,第二隔离阀以及第三隔离阀相连,控制所述第一隔离阀,第二隔离阀以及第三隔离阀的开闭状态;其中,当进行硅片装卸动作时,所述控制单元关闭所述第一隔离阀和第二隔离阀、同时打开所述第三隔离阀,使得所述工作腔室与所述真空泵和储能腔室相隔离,所述真空泵对所述储能腔室抽真空使所述储能腔室内的压力小于大气压;当进行硅片加工动作时,所述控制单元打开所述第二隔离阀使得所述工作腔室与真空状态的所述储能腔室相连通而降低所述工作腔室内的压力;当所述工作腔室内的压力下降到预定程度时,所述控制单元关闭所述第二隔离阀及第三隔离阀,且同时打开所述第一隔离阀,所述真空泵对所述工作腔室抽真空。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210405325.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top