[发明专利]一种通孔结构的制作方法在审
| 申请号： | 201210405327.8 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102903672A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 胡正军 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通孔结构的制作方法，包括在衬底上形成通孔结构；对通孔结构进行圆化处理，增大通孔结构顶部的开口面积，形成圆化通孔结构；在圆化通孔结构表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层；在圆化通孔结构内部填充铜。通过本发明的制作方法，不仅可以避免淀积过程中形成的材料堆积,有利于后续电镀铜工艺的顺利完成，还能够增大电镀窗口，提高后续铜电镀的填隙能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种通孔结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：在衬底上形成通孔结构；步骤S02：对所述的通孔结构进行圆化处理，增大所述的通孔结构顶部的开口面积，形成圆化通孔结构；步骤S03：在所述的圆化通孔结构的表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层；步骤S04：在所述的圆化通孔结构内部填充铜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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