[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210406039.4 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103779218B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法中在衬底源/漏处形成凹槽，在凹槽侧壁形成可去除侧墙，然后对凹槽进行刻蚀以形成Sigma形凹陷；在Sigma形凹陷内进行基本不掺杂的硅锗选择性外延生长时由可去除侧墙保护Sigma形凹陷靠近衬底表面不被外延，去除可去除侧墙再在Sigma形凹陷内进行掺杂P型杂质的硅锗外延生长。这样，在充分增加应力的情况下保证源漏结之间有充分的距离，以免加剧短沟道效应，并且无掺杂的SiGe外延生长不给导电通道引入高阻层，避免了器件性能退化，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅结构；刻蚀所述衬底以在所述衬底源/漏处形成凹槽；在所述凹槽侧壁形成可去除侧墙；对所述凹槽进行刻蚀以形成Sigma形凹陷；在所述Sigma形凹陷内进行基本不掺杂的硅锗选择性外延生长；去除所述可去除侧墙；在所述Sigma形凹陷内进行掺杂P型杂质的硅锗外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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