[发明专利]一种场发射阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 201210406044.5 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103779148A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;梁艳馨;陈贵堂 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场发射阴极，包括基板、设置在基板上的导电薄膜和形成在导电薄膜上的电子发射体阵列，所述导电薄膜与电子发射体阵列之间设置有一厚度为0.4~0.8μm的金属缓冲层，所述金属缓冲层的材料为热膨胀系数介于所述基板与所述电子发射体阵列之间的金属或金属化合物。该场发射阴极的金属缓冲层可以提高基板与电子发射体阵列之间的热膨胀系数匹配度，从而改善基板与电子发射体阵列间发生形变而使接触面不均匀、接触电阻增大的现象，最终提高电子发射体阵列的电子发射效率和使用寿命。本发明还提供了该场发射阴极的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场发射阴极，包括基板、设置在基板上的导电薄膜和形成在导电薄膜上的电子发射体阵列，其特征在于，所述导电薄膜与电子发射体阵列之间设置有一厚度为0.4~0.8μm的金属缓冲层，所述金属缓冲层的材料为热膨胀系数介于所述基板与所述电子发射体阵列之间的金属或金属化合物。
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