[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210406252.5 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103779220A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;徐依协;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：形成鳍部结构后，在所述鳍部结构顶部表面形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁的鳍部结构形成第一鳍部；在所述第一凹槽底部表面形成第二凹槽，所述第二凹槽侧壁的鳍部结构形成第二鳍部；将所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形。由于所述鳍部结构的顶部表面被刻蚀形成若干个第一鳍部和第二鳍部，使得最终形成的鳍部结构的表面积远远大于现有的剖面形状为矩形的鳍部的表面积，有利于提高鳍式场效应晶体管的沟道区面积，从而有利于提高驱动电流。且所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形，能有效地避免部分沟道区的电流过大导致器件过热。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底表面形成鳍部结构，至少在所述鳍部结构两侧的基底表面形成绝缘层；在所述鳍部结构顶部表面形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁的鳍部结构形成第一鳍部；在所述第一凹槽底部表面形成第二凹槽，所述第二凹槽侧壁的鳍部结构形成第二鳍部；将所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形；在所述鳍部结构表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的鳍部结构中形成源区和漏区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210406252.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：中华大蟾蜍抗菌肽BG-SK14及其编码基因和应用
- 下一篇：变阻尼力阻尼器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
