[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件，包括：半导体衬底，半导体衬底包括相邻的第一区域和第二区域；位于第一区域的半导体衬底表面的第一栅极结构，第一栅极结构包括：第一高K栅介质层、位于第一高K栅介质层表面的第一功函数层、以及位于第一功函数层表面的第一栅电极层；位于第二区域半导体衬底表面的第二栅极结构，第二栅极结构包括：第二高K栅介质层、位于第二高K栅介质层表面的第二功函数层、以及位于第二功函数层表面的第二栅电极层；位于第一栅极结构和第二栅极结构表面的第二介质层，第二介质层内具有暴露出部分第一栅极结构和部分第二栅极结构表面的接触通孔；位于接触通孔内形成第一导电插塞。所述半导体器件性能好。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻的第一区域和第二区域；在所述第一区域的半导体衬底表面形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括：第一高K栅介质层、位于所述第一高K栅介质层表面的第一功函数层、以及位于所述第一功函数层表面的第一栅电极层；在所述第二区域半导体衬底表面形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括：第二高K栅介质层、位于所述第二高K栅介质层表面的第二功函数层、以及位于所述第二功函数层表面的第二栅电极层；在形成第一栅极结构和第二栅极结构之后，在所述第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第二介质层，所述第二介质层内具有接触通孔，所述接触通孔暴露出部分第一栅极结构和部分第二栅极结构表面；在所述接触通孔内形成第一导电插塞。