[发明专利]一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法有效
| 申请号： | 201210407266.9 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102916047A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 王颖;包梦恬;曹菲;刘云涛 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法。包括底层半导体衬底（1），隐埋SiO2层（2），顶层硅膜（3），栅氧化层（4），多晶硅栅（5）；其特征是：通过离子注入在顶层硅膜（3）表面和内部形成源端（A）和漏端（B）；在源端（A）一侧靠近边缘的顶层硅膜（3）和源端（A）之间刻蚀出直至隐埋SiO2层（2）的纵向沟槽（7），对源端（A）下方和保留的顶层硅膜（3a）下方的隐埋SiO2层（2）进行刻蚀，形成从保留的顶层硅膜（3a）下方经过源端（A）下方到中性体区的横向沟槽（8）。本发明提供一种减少工艺步骤，提高器件的可靠性的利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 腐蚀 技术 soi 接触 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构为：包括一个底层半导体衬底（1）；一个位于底层半导体衬底上的隐埋SiO2层（2），一个位于隐埋SiO2层上的顶层硅膜（3）；一个位于顶层硅膜上的栅氧化层（4）；一个位于栅氧化层上的多晶硅栅（5）；其特征是：通过离子注入在顶层硅膜（3）表面和内部形成源端（A）和漏端（B）；在源端（A）一侧靠近边缘的顶层硅膜（3）和源端（A）之间刻蚀出直至隐埋SiO2层（2）的纵向沟槽（7），对源端（A）下方和保留的顶层硅膜（3a）下方的隐埋SiO2层（2）进行刻蚀，形成从保留的顶层硅膜（3a）下方经过源端（A）下方到中性体区的横向沟槽（8）。
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