[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210407606.8 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137864A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 金珍赫;李根;权宁锡 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 周晓雨;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底，其中形成有字线区；以及阻挡金属层，所述阻挡金属层被布置在字线区上并引起产生肖特基结。所述阻挡金属层包括将第一材料硝化的第一氮化物材料和将第二材料硝化的第二氮化物材料。所述阻挡金属层由第一氮化物材料和第二氮化物材料的混合物形成。第一材料或第二材料中的至少一种富含用于形成第一氮化物材料或第二氮化物材料的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，其中形成有字线区；以及阻挡金属层，所述阻挡金属层由金属氮化物形成、被布置在所述字线区上、并引起产生肖特基结，所述阻挡金属层包括：第一氮化物材料，所述第一氮化物材料由硝化的第一材料形成；以及第二氮化物材料，所述第二氮化物材料由硝化的第二材料形成，其中，所述阻挡金属层由所述第一氮化物材料和所述第二氮化物材料的混合物形成，以及其中，所述第一材料或所述第二材料中的任何一种富含用于形成所述金属氮化物的金属。
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