[发明专利]具有穿过衬底通路(TSV)的半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体器件结构(10)包括衬底(12)，所述衬底具有第一浓度和第一导电类型的背景掺杂。穿过衬底通路(TSV)(46)穿过所述衬底。半导体器件(20‑30)耦合到衬底上第一侧的TSV。掺杂区域具有大于第一浓度的第二浓度和第一导电类型的掺杂。

主权项

1.一种半导体器件结构，包括衬底，所述衬底具有第一浓度和第一导电类型的背景掺杂，所述半导体器件结构包括：穿过衬底通路TSV，其穿过所述衬底；位于衬底的第一侧上的器件，其中所述器件是耦接到所述TSV的横向扩散MOS晶体管LDMOS，其中所述器件包括衬底顶表面中掺杂区域中的第一掺杂区域，所述掺杂区域比第一掺杂区域延伸更深入衬底，所述第一掺杂区域与LDMOS栅极的第二侧壁横向地间隔开，第一掺杂区域与LDMOS栅极的距离范围为1到6微米，所述第一掺杂区域具有第二导电类型；围绕所述TSV的第二掺杂区域，其中所述第二掺杂区域具有大于第一浓度的第二浓度和第一导电类型的掺杂，其中所述MOS晶体管具有耦接到所述TSV的第一导电类型的体连接，且其中所述第二掺杂区域在衬底中延伸到低于所述体连接的深度的深度，所述TSV允许LDMOS源极在衬底背面处耦合到地；所述第一掺杂区域是MOS晶体管的漏极。