[发明专利]芯片接合装置及芯片接合方法无效
申请号: | 201210408059.5 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN103065987A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 秦英惠;福田正行;市川良雄;牛房信之;深谷康太 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术仪器 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 黄永杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供芯片接合装置及芯片接合方法,能够减少焊锡接合部中的空隙、界面的接合不良。在通过焊锡将半导体芯片接合在引线框架或衬底上的芯片接合机中,具有:输送部,其输送上述引线框架或衬底;焊锡供给部,其向上述引线框架或衬底上供给焊锡;搭载部,其将半导体芯片搭载、接合在上述引线框架或衬底上的焊锡上。所述芯片接合机还具有表面清洁化单元。将上述焊锡供给到上述引线框架或衬底上之后,所述表面清洁化单元除去在炉内熔融的焊锡表面的氧化膜。通过上述芯片接合设备,能够提高芯片接合品质。 | ||
搜索关键词: | 芯片 接合 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片接合装置,形成由焊锡得到的接合部来接合多个被接合部件,所述芯片接合装置的特征在于,具有:焊锡供给构件,所述焊锡供给构件向所述被接合部件供给焊锡;表面清洁化构件,所述表面清洁化构件使用气体还原并除去向所述被接合部件供给的焊锡的表面氧化膜;排气构件,所述排气构件对已用于所述焊锡的还原的气体进行排气;加热构件,所述加热构件加热所述焊锡使其熔融;以及接合构件,所述接合构件在除去所述表面氧化物且被供给到所述被接合部件的熔融焊锡上,接合其他的被接合部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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