[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210409068.6 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103682011A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 颜伟昱;周理评;陈复邦;张智松 | 申请（专利权）人： | 联胜光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体发光元件及其制造方法，半导体发光元件包括发光的磊晶结构、第一电极结构、光反射层及电阻增加结构。其中，磊晶结构具有相对的第一面及第二面；第一电极结构与第一面电性相接；光反射层与第二面相邻；电阻增加结构与光反射层相邻，并远离第二面，且与第一电极结构之位置相对应。另提供半导体发光元件之制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于该半导体发光元件包括：一发光的磊晶结构，具有相对的一第一面及一第二面；一第一电极结构，与该第一面电性相接；一光反射层，与该第二面相邻；以及一电阻增加结构，与该光反射层相邻，并远离该第二面，且与该第一电极结构的位置相对应。
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