[发明专利]一种利用离子液体低温电沉积钴的方法无效
| 申请号： | 201210409424.4 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102936738A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 马梅彦 | 申请（专利权）人： | 彩虹集团公司 |
| 主分类号： | C25C3/34 | 分类号： | C25C3/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 712021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用离子液体低温电沉积钴的方法。其特点是，包括如下步骤：以无水氯化钴CoCl2为原料，以离子液体为电解质，先将氯化钴完全溶解在离子液体中，再采用直流电源进行电沉积，电沉积时电解槽的槽压高于氯化钴分解电压而低于离子液体的电化学窗口，从而在阴极上生产出钴，阳极上放出氯气。本发明提供了一种利用离子液体低温电沉积生产金属钴的方法。本发明针对目前工业电沉积生产钴存在的一些问题，如高能耗、对环境不友好、腐蚀设备，成本大、污染环境等问题，提出一种利用离子液体进行电沉积生产钴。该方法操作温度低、能耗少、对设备腐蚀性小，将大大降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 离子 液体 低温 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种利用离子液体低温电沉积钴的方法，其特征在于，包括如下步骤：以无水氯化钴CoCl2为原料，以离子液体为电解质，先将氯化钴完全溶解在离子液体中，再采用直流电源进行电沉积，电沉积时电解槽的槽压高于氯化钴分解电压而低于离子液体的电化学窗口，从而在阴极上生产出钴，阳极上放出氯气。
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