[发明专利]一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液有效
| 申请号： | 201210410184.X | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103773626B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;孙广胜;颜金荔 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;C11D7/26;C11D7/60;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所11352 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有（a）醇胺，（b）醇醚，(c)水，(d)邻苯三酚和/或其衍生物，e）没食子酸和/或其酯。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液能够同时去除金属线（metal）、通孔(via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物，同时对于基材如金属铝，非金属二氧化硅等基本没有攻击。在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 去除 残留物 清洗 | ||
【主权项】：
一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述清洗液由醇胺，醇醚，邻苯三酚和/或其衍生物，没食子酸和/或其酯和水组成；其中，所述醇胺的质量百分比含量为40‑70wt％，所述醇醚的质量百分比含量为10‑40wt％，所述邻苯三酚和/或其衍生物的质量百分比含量为0.1‑10wt％，所述没食子酸和/或其酯的质量百分比含量为0.1‑5wt％，所述水的质量百分比含量为10‑30wt％。
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