[发明专利]一种自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器有效
| 申请号： | 201210410617.1 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102903847A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 赵金石;邵兴隆 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器，由下电极、诱导层I、诱导层II和上电极依次叠层构成，下电极为在正向电场作用下易于被氧化为金属离子的金属，诱导层I为N型氧化物，诱导层II为P型氧化物，上电极为在电场作用下性质稳定的金属或导电化合物；所述下电极在正向电场作用下在诱导层I中自发生长金属纳米晶颗粒，在对下电极加反向负偏压时变成低电阻从而进行存储数据“1”的操作，而对下电极加正向或反向偏压时变成高电阻从而进行存储数据“0”的操作。本发明的优点是：该阻变存储器利用金属纳米晶作为导电通道的诱导因素，通过诱导层I控制纳米晶形成的数量，可有效控制器件电压和电流的波动，提高存储器的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自发 生长 金属 纳米 颗粒 型叠层阻变 存储器 | ||
【主权项】：
一种自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器，其特征在于：由下电极、诱导层I、诱导层II和上电极依次叠层构成，下电极为在正向电场作用下易于被氧化为金属离子的金属，诱导层I为N型氧化物，诱导层II为P型氧化物，上电极为在电场作用下性质稳定的金属或导电化合物，下电极、诱导层I、诱导层II和上电极的厚度分别为5‑200nm。
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