[发明专利]半导体器件、半导体器件制造方法以及电子器件有效
| 申请号： | 201210410626.0 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103165556A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 今纯一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L23/36;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件、半导体器件制造方法和电子器件。所述半导体器件包括：绝缘层、设置在绝缘层内的第一半导体元件和第二半导体元件、具有比绝缘层更高的热导率并经由绝缘层围绕第一半导体元件和第二半导体元件的框以及设置在绝缘层上并包括电连接到第一半导体元件和第二半导体元件的电极的布线层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 电子器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：绝缘层；设置在所述绝缘层内的第一半导体元件和第二半导体元件；框，所述框具有比所述绝缘层更高的热导率并经由所述绝缘层围绕所述第一半导体元件和所述第二半导体元件；以及布线层，所述布线层设置在所述绝缘层之上并包括电连接所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的电极。
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