[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210411681.1 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103066126B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 长隆之;越冈俊介;横山雅俊;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 叶晓勇,卢江 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方式的课题是提供一种具有使用氧化物半导体的晶体管的可靠性高的半导体装置。在设置在玻璃衬底上的底栅结构的交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层上设置依次层叠其组成彼此不同的第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜。或者在底栅结构的交错型的晶体管中，在玻璃衬底和栅电极层之间设置保护绝缘膜。将在第一栅极绝缘膜与第二栅极绝缘膜之间的界面处或在栅电极层与栅极绝缘膜之间的界面处的包含在玻璃衬底中的金属元素的浓度设定为5×1018atoms/cm3以下（优选为1×1018atoms/cm3以下）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：包含一种以上的金属元素的玻璃衬底上的栅电极层；所述栅电极层上的第一栅极绝缘膜；在所述第一栅极绝缘膜上并接触于所述第一栅极绝缘膜的第二栅极绝缘膜；所述第二栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及所述氧化物半导体膜上的源电极层及漏电极层，其中，所述第一栅极绝缘膜的组成与所述第二栅极绝缘膜的组成不同，并且，在所述第一栅极绝缘膜和所述第二栅极绝缘膜之间的界面处，从所述玻璃衬底扩散的所述一种以上的金属元素的浓度为5×1018atoms/cm3以下。
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