[发明专利]用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层有效
| 申请号： | 201210411732.0 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103545348A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 陈祈铭;邱汉钦;喻中一;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层。本发明涉及集成电路及其形成。在一些实施例中，集成电路包括扩散阻挡层。扩散阻挡层可以布置成阻止来自Si衬底的Si和O2扩散到III族氮化物层内。扩散阻挡层可以包含Al2O3。在一些实施例中，集成电路还包括设置在硅衬底和III族氮化物层之间的晶格匹配结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 iii 氮化物 扩散 阻挡 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：硅衬底，具有第一晶格结构；GaN层，设置在所述硅衬底上方并且具有不同于所述第一晶格结构的第二晶格结构；晶格匹配结构，布置在所述硅衬底和所述GaN层之间并且布置成作为所述第一晶格结构与所述第二晶格结构的界面；以及扩散阻挡层，布置在所述硅衬底和所述晶格匹配结构之间，所述扩散阻挡层配置成限制来自所述硅衬底的硅和氧扩散至所述晶格匹配结构。
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