[发明专利]一种二极管芯片制作中硅片均匀扩散的方法无效
| 申请号： | 201210412253.0 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103117336A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 曹孙根;陶小鸥 | 申请（专利权）人： | 南通康比电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二极管芯片制作中硅片均匀扩散的方法，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于：所述排磷纸工序中使用石墨舟时硅片为垂直方式扩散。本发明提高反向恢复时间；VB更集中；平整度<10ｕｍ有明显得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 芯片 制作 硅片 均匀 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种二极管芯片制作中硅片均匀扩散的方法，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于：所述排磷纸工序中使用石墨舟时硅片为垂直方式扩散。
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