[发明专利]一种二极管制造的深扩散工艺无效
| 申请号： | 201210412772.7 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103000500A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 陶小鸥;曹孙根 | 申请（专利权）人： | 南通康比电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二极管制造的深扩散工艺，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、涂硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于：所述涂硼工序中硼液配比：乙二醇乙醚:三氧化二硼=10:4；所述在涂硼和双面喷砂之间增加高温扩散工序。本发明节约动力费用和人工费用，而且性能有明显的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 制造 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
一种二极管制造的深扩散工艺，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、涂硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于：所述涂硼工序中硼液体积配比:乙二醇乙醚:三氧化二硼=10:4；所述在涂硼和双面喷砂工艺之间增加高温扩散工序，所述高温扩散工序为：将第一个载有硅片的石英舟置于炉口用600℃的温度预热30min，用石英钩将石英舟推至1260‑1262℃的恒温区后半段， 将第二舟置于炉口用600℃的温度预热30min，用石英钩将石英舟推至1260‑1262℃的恒温区前半段；调整扩散炉升温速率为5℃/min升温到1262℃，等温度升到1262℃时，开始计时，恒温时间由工程人员确定，降温至600℃并保持该恒温以待下次扩散，用石英钩将第二舟逐渐拉出，每5min拉出5cm，拉至炉口冷却15min后取下，放在石英托架上自然冷却待分片，用上述同样的方法将第一舟从石英管内拉出待分片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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