[发明专利]一种低破片率二极管的扩散方法

摘要

本发明公开了一种低破片率二极管的扩散方法，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于：所述镀镍前清洗工序中先将混酸溶液中浸20秒后冲水10分钟,再在混酸溶液中浸20秒，再进行后续清洗处理。

主权项

一种低破片率二极管的扩散方法，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于：所述镀镍前清洗工序为： 混酸溶液中浸20秒后冲水10分钟,再在混酸溶液中浸20秒，然后用纯水清洗5‑10min，再用哈摩粉溶液超声清洗两次，每次的时间为20±0.1min，每次清洗完后均要用纯水清洗一次，纯水清洗时间为5‑10min；上述清洗步骤 完毕后，用90±10℃热纯水继续超声清洗20 ±1min并紧接着常温纯水冲洗5‑10min，然后浸氢氟酸5分钟，最后再用常温纯水常规冲洗一遍即可。