[发明专利]一种运算放大器、电平转换电路以及可编程增益放大器有效

专利信息
申请号: 201210413014.7 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN103780212A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 杨金达;周立人;熊俊;林敬新 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F1/32;H03G3/30;H03K19/0185
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 陈蕾;许伟群
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例公开了一种电平转换电路,包括两个运算放大器和共模反馈回路;所述运算放大器在P点插入了衬底和源极相接的PMOS源极跟随器,使得能够低失真的将大差分摆幅的3.3V高共模电平平移到1.2V低共模电平,且差分摆幅保持不变;所述共模反馈回路,接收两个运算放大器的输出信号,对两个输出信号进行取共模运算,将得到的共模值与设定的基准电压进行比较,并将比较结果作为反馈信号输出至两个运算放大器。本发明实施例还提供了一种运算放大器和可编程增益放大器。采用本发明实施例,能够同时实现从低电平到高电平转换以及从高电平到低电平转换的功能,且能满足输出大摆幅以及高线性度的要求。
搜索关键词: 一种 运算放大器 电平 转换 电路 以及 可编程 增益 放大器
【主权项】:
一种运算放大器,其特征在于,所述运算放大器包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、以及第一电流源和第二电流源;所述第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极短接,共同接所述第一电流源的一端;所述第一电流源的另一端接高压工作电源;所述第一PMOS管的漏极接所述第三NMOS管的漏极;所述第三NMOS管的源极接地;所述第三NMOS管的栅极和漏极短接;所述第五NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极;所述第五NMOS管的源极接地;所述第五NMOS管的漏极接所述第七PMOS管漏极;所述第七PMOS管的源极接低压工作电源;所述第七PMOS管的漏极和栅极短接;所述第二PMOS管的漏极接所述第四NMOS管的漏极;所述第四NMOS管的源极接地;所述第四NMOS管的栅极和漏极短接;所述第六NMOS管的栅极接所述第四NMOS管的栅极;所述第六NMOS管的源极接地;所述第六NMOS管的漏极接所述第八PMOS管漏极;所述第八PMOS管的源极接低压工作电源;所述第八PMOS管的栅极接所述第七PMOS管的栅极;所述第九PMOS管的源极接第二电流源的一端和所述第一PMOS管的栅极,所述第二电流源的另一端接高压工作电源;所述第九PMOS管的漏极接地;所述第九PMOS管的栅极接所述第八PMOS管漏极;所述第二PMOS管的栅极作为所述运算放大器的输入端;所述第九PMOS管的栅极作为所述运算放大器的输出端;所述第九PMOS管的衬底和源极相接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210413014.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top