[发明专利]薄膜晶体管及主动矩阵式平面显示装置有效
| 申请号： | 201210413171.8 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102891183A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 江政隆;陈柏林 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管和主动矩阵式平面显示装置，该薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、源极、漏极以及多个氧化物半导体层，其中，多个氧化物半导体层依次层叠设置在源极和漏极以及第一绝缘层之间，其包括紧靠第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。通过以上方式，本发明保证了薄膜晶体管电性正常，从而保证主动矩阵式平面显示装置的显示品质。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 主动 矩阵 平面 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极；第一绝缘层，设置在所述栅极上；源极和漏极，分别设置在所述第一绝缘层上；以及多个氧化物半导体层，依次层叠设置在所述源极和漏极以及所述第一绝缘层之间，其中，所述多个氧化物半导体层包括紧靠所述第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与所述源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，所述第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。
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