[发明专利]改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法无效
| 申请号： | 201210413304.1 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102882129A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 袁丽君;于红艳;周旭亮;王火雷;潘教青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法，包括如下步骤：在SOI片顶层硅层上制作均匀光栅；在硅层上垂直于光栅的方向刻蚀出多个宽度不同的硅波导和两侧的硅挡墙；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，硅挡墙和金属层之间为过量金属容纳区，形成SOI波导结构；在一P衬底上采用MOCVD的方法生长III-V族半导体激光器阵列结构，该III-V族半导体激光器阵列结构中的每个激光器与每个硅波导相对应；在III-V族半导体激光器结构的N面制作金属电极，并在金属电极上光刻腐蚀出光耦合窗口；在P衬底的背面制作金属电极，形成键合激光器阵列结构；将SOI波导结构和键合激光器阵列结构，采用选区金属键合的方法键合到一起，完成多波长硅基混合激光器阵列的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 改变 波导 宽度 制备 波长 混合 激光器 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法，包括如下步骤：步骤1：在SOI片顶层硅层上制作均匀光栅；步骤2：在硅层上垂直于光栅的方向刻蚀出多个宽度不同的硅波导和两侧的硅挡墙；步骤3：采用金属剥离方法，在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，硅挡墙和金属层之间为过量金属容纳区，形成SOI波导结构；步骤4：在一P衬底上采用MOCVD的方法生长III‑V族半导体激光器阵列结构，该III‑V族半导体激光器阵列结构中的每个激光器与每个硅波导相对应；步骤5：在III‑V族半导体激光器结构的N面制作金属电极，并在金属电极上光刻腐蚀出光耦合窗口；步骤6：在P衬底的背面制作金属电极，形成键合激光器阵列结构；步骤7：将SOI波导结构和键合激光器阵列结构，采用选区金属键合的方法键合到一起，完成多波长硅基混合激光器阵列的制备。
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