[发明专利]三维非易失性存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维非易失性存储器件及其制造方法，所述三维非易失性存储器件包括沟道层，所述沟道层从衬底突出；多个存储器单元，所述多个存储器单元沿着沟道层层叠；源极线，所述源极线与沟道层的一侧的端部耦接；位线，所述位线与沟道层的另一侧的端部耦接；第一结，所述第一结插入在沟道层的一侧的端部与源极线之间，并被配置成其中掺杂有P型杂质；以及第二结，所述第二结插入在沟道层的另一侧的端部与位线之间，并被配置成其中掺杂有N型杂质。

主权项

一种三维非易失性存储器件，包括：沟道层，所述沟道层从衬底突出；多个存储器单元，所述多个存储器单元沿着所述沟道层层叠；源极线，所述源极线与所述沟道层的一侧的端部耦接；位线，所述位线与所述沟道层的另一侧的端部耦接；第一结，所述第一结插入在所述沟道层的一侧的端部与所述源极线之间，并且被配置成其中掺杂有P型杂质，其中，所述第一结直接接触所述源极线，使得当擦除电压被施加到所述源极线时，所述第一结将空穴供应到所述沟道层；以及第二结，所述第二结插入在所述沟道层的另一侧的端部与所述位线之间，并且被配置成其中掺杂有N型杂质。