[发明专利]存储器件及其制作方法

摘要

一种存储器件及其制作方法，所述存储器件包括有源区、漏区和栅极，其中，所述栅极至少包括表面具有多个凸起的浮栅。本发明存储器件具有表面有凸起的浮栅，通过增大浮栅的表面积，增加浮栅与控制栅之间的电容值，从而提高了耦合系数，有效的改善了器件性能。此外，本发明存储器件制作方法，通过多次刻蚀工艺，避免了化学机械抛光，提高了产品的均匀性，从而提高了产品良率。

主权项

一种存储器件制作方法，至少包括：提供衬底，并分别在所述衬底上形成有源区、漏极以及在栅极区域沉积第一绝缘层；形成浮栅；形成位于所述浮栅表面的介质层以及位于所述介质层表面的控制栅；其特征在于，所述形成浮栅至少包括：在所述第一绝缘层表面沉积多晶硅层；在所述多晶硅层表面沉积氮化硅层；刻蚀以形成氮化硅侧墙；再次沉积多晶硅；刻蚀去除多余的多晶硅及氮化硅，直至与所述第一绝缘层齐平；去除剩余的氮化硅，从而在栅极形成“山”字形的浮栅。