[发明专利]一种背照式CMOS图像传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器的制造方法，包括在衬底中依次形成感光二极管区及至少一层金属互连层；在衬底下表面形成并刻蚀介质层，以使介质层间形成开口区域，金属互连层的金属互连线通过开口区域引出；在开口区域形成多孔硅结构，多孔硅结构的深度为衬底下表面至所述金属互连线的深度；去除介质层；以及在多孔硅结构中填充导电材料。本发明工艺简便，成本低廉，且所制造的图像传感器中的多孔硅结构与衬底应力非常小，可实现零失配。

主权项

一种背照式CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底中依次形成感光二极管区及至少一层金属互连层；在所述衬底下表面形成并刻蚀介质层，以使所述介质层之间形成开口区域，所述金属互连层的金属互连线通过所述开口区域引出；在所述衬底下表面的所述开口区域通过电化学腐蚀工艺形成多孔硅结构，所述多孔硅结构的深度为所述衬底下表面至所述金属互连线的深度；去除所述介质层；在所述多孔硅结构中填充导电材料；以及在所述多孔硅结构下方形成MOS晶体管区域。