[发明专利]一种阻止Ag在TiAlN涂层中高温晶界扩散的方法

摘要

一种阻止Ag在TiAlN涂层中高温晶界扩散的方法，所述方法为在磁控溅射沉积TiAlN-Ag复合涂层时，采用单独的Si靶和磁控溅射技术，向TiAlN-Ag涂层中添加Si₃N₄组元，使其存在于TiAlN的晶界上，构成TiAlN-Ag/Si₃N₄涂层；TiAlN-Ag/Si₃N₄涂层中Ag含量在1-10at%，Si含量在8-10at%；本发明可使Ag在200-800^oC的高温扩散被明显的抑制，可明显阻止Ag通过TiAlN的晶界向涂层表面扩散，在200-800^oC高温磨损试验中，可使TiAlN-Ag涂层的磨损时间提高3倍以上，另外，该方法改善的TiAlN-Ag耐磨减磨涂层制备方法简单，可广泛应用。

主权项

一种阻止Ag在TiAlN涂层中高温晶界扩散的方法，其特征在于所述方法为在磁控溅射沉积TiAlN‑Ag复合涂层时，采用单独的Si靶和磁控溅射技术，向TiAlN‑Ag涂层中添加Si₃N₄组元，使其存在于 TiAlN的晶界上，构成TiAlN‑Ag/Si₃N₄涂层。