[发明专利]用于提高粉源利用率的碳化硅晶体生长坩埚有效
| 申请号： | 201210413959.9 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102912444A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 封先锋;陈治明;臧源;马剑平;蒲红斌 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00;C30B23/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 张瑞琪 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提高粉源利用率的碳化硅晶体生长坩埚，包括坩埚本体，坩埚本体内腔在水平方向上分成多个用于盛放碳化硅粉源的分装区域。本发明解决了现有技术中碳化硅粉源利用率不高、晶体平均生长速率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 利用率 碳化硅 晶体生长 坩埚 | ||
【主权项】：
一种用于提高粉源利用率的碳化硅晶体生长坩埚，包括坩埚本体，其特征在于，所述坩埚本体内腔在水平方向上分成多个用于盛放碳化硅粉源的分装区域。
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