[发明专利]发光二极管封装构造及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210414056.2 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN102969432A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 张效铨;蔡宗岳 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L33/48;H01L25/13
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 中国台湾高雄*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种发光二极管封装构造及其制造方法。所述发光二极管封装构造包含:多个承载座、多个发光二极管芯片以及一透明封装层。相邻两承载座之间具有间隔空间,间隔空间包含相互连通的第一凹部与第二凹部,其中第一凹部填充有反光材料。发光二极管芯片分别设置于承载座上,并通过导线连接。透明封装层设于承载座上方而包覆所述发光二极管芯片与反光材料。所述反光材料可加强整体结构强度并提高出光效率,解决传统发光二极管基板结构漏光的技术问题。
搜索关键词: 发光二极管 封装 构造 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管封装构造,其特征在于:所述发光二极管封装构造包含:多个承载座,相邻两所述承载座之间具有一间隔空间,所述间隔空间包含相互连通的一第一凹部与一第二凹部,其中所述第一凹部填充有反光材料;多个发光二极管芯片,分别设置于所述承载座上,并通过导线连接;以及一透明封装层,设于所述承载座上方而包覆所述发光二极管芯片与所述反光材料。
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