[发明专利]一种CMOS影像传感器光学增强结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种CMOS影像传感器光学增强结构及制备方法，该结构包括硅衬底及其上的光敏元件和标准CMOS多层结构，该光敏元件上方具有形成透光空间的深沟槽，该深沟槽侧壁由金属反射层环绕，以反射入射到该金属反射层的光线。本发明的光学增强结构在光敏元件上面形成的深沟槽侧壁形成一层薄金属反射层，使入射光线完全反射到光敏元件上，屏蔽了相邻像元之间的光学串扰，增强了入射到光敏元件上的光线强度，从而提高了CMOS影像传感器的光学灵敏度，提升了芯片的性能和可靠性。

主权项

1.一种CMOS影像传感器光学增强结构，其特征在于：其包括硅衬底及其上的光敏元件和标准CMOS多层结构，该光敏元件上方具有形成透光空间的深沟槽，该深沟槽侧壁由金属反射层环绕，以反射入射到该金属反射层的光线，该多层结构的顶层之上也具有金属反射层，以反射从多层结构顶部入射到多层结构内部的光线，且该多层结构的顶层为介质层，用以将多层结构中的金属互连层与金属反射层相隔离，同时，深沟槽之间隔离区顶部金属反射层也被去除一部分，以避免相邻像元间的串联干扰；该深沟槽内填充透明材料以形成透光体，该透明材料是含碳、氢、氧的透明树脂材料，该透明材料所形成的透光体还覆盖该多层结构顶层的金属反射层；其中，通过去除由数个光敏元件组成的像元阵列区域之上的钝化层，使像元的光线入射角度变得更大，光线路程变得更短，以提高光的吸收能力。