[发明专利]互连中铜表面处理的方法在审
| 申请号： | 201210414645.0 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103779269A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 平延磊;鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互连中铜表面处理的方法，循环的执行通过选择性铝沉积在铜互连线表面形成铝盖层和在还原性气体氛围下使用等离子束处理铝盖层两个步骤，将铝原子逐步溶入铜互连线表面以在铜互连线表面形成铜铝合金盖层，由于铜铝合金盖层的迁移率小于铝盖层，因此在防止铜原子扩散的同时也抑制了互连线电迁移导致的半导体器件失效问题。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种互连中铜表面处理的方法，包括：步骤A：提供具有铜互连线的互连结构；步骤B：在铜互连线表面使用前驱物进行选择性沉积铝，以在铜互连线表面形成铝盖层；步骤C：在还原性气体氛围下使用等离子束处理或热处理所述铝盖层；步骤D：循环步骤B和步骤C至预定次数，以在所述铜互连线表面形成铜铝合金盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
